Simulation des P_N Übergangs einer Halbleiterdiode

Simulation des P_N Übergangs einer Halbleiterdiode

Veröffentlicht am 02.09.2013

Autor: Norbert Heinz - Kontaktieren
Homepage: http://www.homofaciens.de/

Mit Hilfe einfacher Voraussetzungen wird das Verhalten von Elektronenfehlstellen (Löchern) und überzähligen Elektronen innerhalb einer Halbleiterdiode simuliert. Errechnet wurden die Animationen mit Hilfe einer Java-Anwendung, die als Freeware auf der Projektseite erhältlich ist.

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